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在电力电子领域，SiC（碳化硅）功率器件因其耐高温、耐高压、低开关损耗等特性备受关注，能够满足电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求，因此在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域得到广泛应用。

然而，国产SiC功率器件在面临良率低、成本高等问题的同时，一致性和可靠性也是市场应用的拦路虎。为了获取市场信任与认可，SiC功率器件需要进行可靠性验证，其中高温反偏试验（HTRB）是一项关键的验证试验。

1. 高温反偏试验HTRB的作用

高温反偏试验模拟器件在静态或稳态工作模式下，以最高反偏电压或指定反偏电压进行工作，以研究偏置条件和温度随时间对器件的寿命模拟。这项试验通常被视为一筛或二筛的核心试验。

2. 高温反偏HTRB的试验条件

高温反偏试验采用的主要试验标准有MIL-STD-750 方法1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1项等。各类标准从试验温度、反偏电压电参数测试等方面做出了明确的定义，车规要求尤为严苛。

3. SiC功率器件高温反偏试验HTRB的过程监控

高温反偏试验过程中需要实时监控漏电流等参数，以观察器件的试验状态，并及时发现器件的异常。SiC功率器件的漏电流通常较小，若存在缺陷，漏电会随时间逐渐增加。

4. 如何通过高温反偏试验？

SiC功率器件的材料、结构、封装可靠性是高温反偏试验的重点考察对象。因此，在产品设计阶段就需考虑风险，综合考量电场、高温对材料、结构、钝化层的老化影响，提升良品率。

江苏粤科检测拥有完整的车规级功率半导体AEC-Q101认证能力，为SiC功率器件提供专门定制的超高温超高压反偏试验服务。我们可针对不同产品定制试验方案，提供高精度的漏电监控系统，确保客户获得相关可靠性认证报告。我们的试验系统能够提供5000V/225℃的高温反偏试验能力，并配合失效分析实验室给出解决方案，为您的SiC功率器件提供全方位的可靠性验证服务。

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